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零件编号 :

IRLR7807ZPBF

制造商
Rochester Electronics
描述
HEXFET POWER MOSFET
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
11440 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Aug 15 - Aug 19 2025
PDF格式
IRLR7807ZPBF PDF
类型 描述
系列:HEXFET®
包裹:Bulk
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:43A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:13.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.25V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:780 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):40W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:D-Pak
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IRLR7807ZPBF 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 IRLR7807ZPBF 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为IRLR7807ZPBF 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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