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FQD2N60CTM

FQD2N60CTM

MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

FQD2N60CTM

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图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

FQD2N60CTM

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
15303 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 24 - Nov 28 2024
PDF格式
FQD2N60CTM PDF
类型 描述
系列:QFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:1.9A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:4.7Ohm @ 950mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:235 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):2.5W (Ta), 44W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:D-Pak
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FQD2N60CTM 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 FQD2N60CTM 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为FQD2N60CTM 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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