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FDMC510P-F106

FDMC510P-F106

MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN

FDMC510P-F106

FDMC510P-F106

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零件编号 :

FDMC510P-F106

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
197619 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
FDMC510P-F106 PDF
类型 描述
系列:PowerTrench®
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:12A (Ta), 18A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:8mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:116 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:7860 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:2.3W (Ta), 41W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:8-WDFN (3.3x3.3)
包/箱:8-PowerWDFN
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