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BSS209PWH6327XTSA1

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零件编号 :: BSS209PWH6327XTSA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 17217 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 17 - Nov 21 2024

PDF格式: BSS209PWH6327XTSA1 PDF

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	630mA (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	550mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.2V @ 3.5µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	1.3 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±12V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	115 pF @ 15 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	300mW (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-SOT323-3
包/箱:	SC-70, SOT-323

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