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SUD19P06-60-GE3

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零件编号 :: SUD19P06-60-GE3

制造商: Vishay / Siliconix

描述: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 15054 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 17 - Nov 21 2024

PDF格式: SUD19P06-60-GE3 PDF

类型	描述
系列:	TrenchFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	18.3A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1710 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	TO-252, (D-Pak)
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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