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MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB

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图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

SSM6J501NU,LF

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
19026 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 29 - Jan 02 2024
PDF格式
SSM6J501NU,LF PDF
类型 描述
系列:U-MOSVI
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:10A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:15.3mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:29.9 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:2600 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:1W (Ta)
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:6-UDFNB (2x2)
包/箱:6-WDFN Exposed Pad
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