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FCD600N65S3R0

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零件编号 :: FCD600N65S3R0

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: MOSFET N-CH 650V 6A DPAK

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 699269 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

PDF格式: FCD600N65S3R0 PDF

类型	描述
系列:	SuperFET® III
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4.5V @ 600µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	465 pF @ 400 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	54W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	D-PAK (TO-252)
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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