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TK160F10N1,LXGQ

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MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM

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零件编号 :

TK160F10N1,LXGQ

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
10750 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
类型 描述
系列:U-MOSVIII-H
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Not For New Designs
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):100 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:160A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:121 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:8510 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:375W (Tc)
工作温度:175°C
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:TO-220SM(W)
包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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