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NVBG080N120SC1

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零件编号 :: NVBG080N120SC1

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: TRANS SJT N-CH 1200V 30A D2PAK-7

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10800 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 17 - Nov 21 2024

类型	描述
系列:	Automotive, AEC-Q101
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏源电压 (vdss):	1200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	30A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	20V
rds on (max) @ id, vgs:	110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (最大值) @ id:	4.3V @ 5mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 20 V
vgs (最大值):	+25V, -15V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1154 pF @ 800 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	179W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	D2PAK-7
包/箱:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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