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NTLJS1102PTAG

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零件编号 :: NTLJS1102PTAG

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 36000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Jan 11 - Jan 15 2025

PDF格式: NTLJS1102PTAG PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	8 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	3.7A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	1.2V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	36mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	720mV @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±6V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1.585 pF @ 4 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	700mW (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	6-WDFN (2x2)
包/箱:	6-WDFN Exposed Pad

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