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NIF9N05CLT1G

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MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

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NIF9N05CLT1G

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零件编号 :

NIF9N05CLT1G

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
13603 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 19 - Dec 23 2024
PDF格式
NIF9N05CLT1G PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):59 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2.6A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:125mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 100µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
vgs (最大值):±15V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:250 pF @ 35 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):1.69W (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:SOT-223 (TO-261)
包/箱:TO-261-4, TO-261AA
NIF9N05CLT1G 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 NIF9N05CLT1G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为NIF9N05CLT1G 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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