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2SK2103T100

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MOSFET N-CH 30V 2A MPT3

2SK2103T100

2SK2103T100

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

2SK2103T100

制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 30V 2A MPT3
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
11000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 02 - Nov 06 2024
PDF格式
2SK2103T100 PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Not For New Designs
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:400mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:230 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):500mW (Ta)
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:MPT3
包/箱:TO-243AA
2SK2103T100 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 2SK2103T100 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为2SK2103T100 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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