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零件编号 :

NXV55UNR

制造商
Nexperia
描述
NXV55UN/SOT23/TO-236AB
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
12820 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 15 - Nov 19 2024
类型 描述
系列:TrenchMOS™
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:1.9A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:66mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:900mV @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:8.7 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:352 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):340mW (Ta), 2.1W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:TO-236AB
包/箱:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NXV55UNR 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 NXV55UNR 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为NXV55UNR 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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