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SIHG33N60EF-GE3

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MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3

图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

SIHG33N60EF-GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
782478 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 28 - Dec 02 2024
PDF格式
SIHG33N60EF-GE3 PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:33A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:98mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:155 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3454 pF @ 100 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:278W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-247AC
包/箱:TO-247-3
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