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零件编号 :

NTTFS4929NTAG

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
138000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 17 - Nov 21 2024
PDF格式
NTTFS4929NTAG PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:6.6A (Ta), 34A(Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:8.8 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:920 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):810mW (Ta), 22.3W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:8-WDFN (3.3x3.3)
包/箱:8-PowerWDFN
NTTFS4929NTAG 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 NTTFS4929NTAG 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为NTTFS4929NTAG 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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