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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 漏源电压 (vdss): | 650 V |
| 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c: | 30A (Tc) |
| 驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）: | 18V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 104mOhm @ 10A, 18V |
| vgs(th) (最大值) @ id: | 5.6V @ 5mA |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs: | 48 nC @ 18 V |
| vgs (最大值): | +22V, -4V |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds: | 571 pF @ 500 V |
| 场效应管特征: | - |
| 功耗（最大值）: | 134W |
| 工作温度: | 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 供应商设备包: | TO-247-4L |
| 包/箱: | TO-247-4 |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
IPA60R180P7XKSA1IR (Infineon Technologies) |
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 |
|
BSD316NL6327Rochester Electronics |
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
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HUF76013D3SRochester Electronics |
MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA |
|
IRF720SPBFVishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK |
|
SIHH21N60E-T1-GE3Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8 |
|
IRF830LPBFVishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO262-3 |
|
SIHP10N40D-GE3Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB |
|
IRFS4615PBFRochester Electronics |
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK |
|
STQ1NC45R-APSTMicroelectronics |
MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3 |
|
STW23N85K5STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 850V 19A TO247 |
|
IPB90N06S4L04ATMA1Rochester Electronics |
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 |
|
STU13NM60NSTMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK |
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IPS70R1K4CEAKMA1Rochester Electronics |
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251 |
