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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 场效应管类型: | - |
| 技术: | - |
| 漏源电压 (vdss): | - |
| 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c: | - |
| 驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）: | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (最大值) @ id: | - |
| 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs: | - |
| vgs (最大值): | - |
| 输入电容 (ciss) (max) @ vds: | - |
| 场效应管特征: | - |
| 功耗（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 供应商设备包: | - |
| 包/箱: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
SQM120N02-1M3L_GE3Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 120A TO263 |
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SI7414DN-T1-GE3Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8 |
|
FCP600N60ZSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3 |
|
CSD19534KCSTexas Instruments |
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
|
SCH2080KECROHM Semiconductor |
SICFET N-CH 1200V 40A TO247 |
|
FCH190N65F-F155Rochester Electronics |
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 |
|
2SK326800LPanasonic |
MOSFET N-CH 100V 15A U-DL |
|
BSH202,215Nexperia |
MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB |
|
IXFT50N60XWickmann / Littelfuse |
MOSFET N-CH 600V 50A TO268 |
|
RFP15N05L_NLRochester Electronics |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
IXTH80N65X2Wickmann / Littelfuse |
MOSFET N-CH 650V 80A TO247 |
|
STW30N80K5STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3 |
|
CSD18541F5Texas Instruments |
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR |
