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SSM3J15FV,L3F

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MOSFET P-CH 30V 100MA VESM

SSM3J15FV,L3F

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图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

SSM3J15FV,L3F

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
55859 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 13 - Nov 17 2024
PDF格式
SSM3J15FV,L3F PDF
类型 描述
系列:π-MOSVI
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:100mA (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.5V, 4V
rds on (max) @ id, vgs:12Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (最大值) @ id:1.7V @ 100µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:9.1 pF @ 3 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):150mW (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:VESM
包/箱:SOT-723
SSM3J15FV,L3F 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 SSM3J15FV,L3F 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为SSM3J15FV,L3F 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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