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RHU003N03T106

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零件编号 :: RHU003N03T106

制造商: ROHM Semiconductor

描述: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 11849 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 17 - Nov 21 2024

PDF格式: RHU003N03T106 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Not For New Designs
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	300mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	20 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	200mW (Ta)
工作温度:	-
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	UMT3
包/箱:	SC-70, SOT-323

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