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NTGD4169FT1G

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零件编号 :: NTGD4169FT1G

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 185907 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 17 - Nov 21 2024

PDF格式: NTGD4169FT1G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	2.6A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	5.5 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±12V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	295 pF @ 15 V
场效应管特征:	Schottky Diode (Isolated)
功耗（最大值）:	900mW (Ta)
工作温度:	-25°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	6-TSOP
包/箱:	SOT-23-6

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