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IPI60R099CPAAKSA1

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零件编号 :: IPI60R099CPAAKSA1

制造商: Rochester Electronics

描述: PFET, 31A I(D), 600V, 0.105OHM,

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 17276 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Dec 22 - Dec 26 2024

PDF格式: IPI60R099CPAAKSA1 PDF

类型	描述
系列:	CoolMOS™
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	31A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	105mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3.5V @ 1.2mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2.8 pF @ 100 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	255W (Tc)
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	PG-TO262-3
包/箱:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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