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SSM6K781G,LF

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零件编号 :: SSM6K781G,LF

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 11442 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Jan 01 - Jan 05 2024

PDF格式: SSM6K781G,LF PDF

类型	描述
系列:	U-MOSVII-H
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	12 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	7A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	18mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	5.4 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	600 pF @ 6 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	1.6W (Ta)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	6-WCSPC (1.5x1.0)
包/箱:	6-UFBGA, WLCSP

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