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IGT60R190D1SATMA1

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零件编号 :: IGT60R190D1SATMA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 531853 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 24 - Feb 28 2025

类型	描述
系列:	CoolGaN™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (vdss):	600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	12.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (最大值) @ id:	1.6V @ 960µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (最大值):	-10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	157 pF @ 400 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	55.5W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-HSOF-8-3
包/箱:	8-PowerSFN

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