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IRFB812PBF

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零件编号 :: IRFB812PBF

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 452845 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 18 - Feb 22 2025

PDF格式: IRFB812PBF PDF

类型	描述
系列:	HEXFET®
包裹:	Tube
零件状态:	Last Time Buy
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	500 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	3.6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.2Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	810 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	78W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-220AB
包/箱:	TO-220-3

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