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SSM6J216FE,LF

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零件编号 :: SSM6J216FE,LF

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 16852 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 28 - Dec 02 2024

PDF格式: SSM6J216FE,LF PDF

类型	描述
系列:	U-MOSVI
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	12 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	4.8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	32mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	12.7 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1040 pF @ 12 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	700mW (Ta)
工作温度:	150°C
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	ES6
包/箱:	SOT-563, SOT-666

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