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NTD80N02-001

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零件编号 :: NTD80N02-001

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 527401 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 23 - Feb 27 2025

PDF格式: NTD80N02-001 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	24 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	80A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	5.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	42 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2.6 pF @ 20 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	75W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	I-PAK
包/箱:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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