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MOSFET N-CH 55V 110A TO263

NP110N055PUG-E1-AY

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零件编号 :

NP110N055PUG-E1-AY

制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
199519 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Feb 25 - Mar 01 2025
PDF格式
NP110N055PUG-E1-AY PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):55 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:110A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:380 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:25700 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:1.8W (Ta), 288W (Tc)
工作温度:175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:TO-263
包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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