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BSD816SNL6327HTSA1

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零件编号 :: BSD816SNL6327HTSA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 641664 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 27 - Dec 01 2024

PDF格式: BSD816SNL6327HTSA1 PDF

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	1.4A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	1.8V, 2.5V
rds on (max) @ id, vgs:	160mOhm @ 1.4A, 2.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	950mV @ 3.7µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	0.6 nC @ 2.5 V
vgs (最大值):	±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	180 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	500mW (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PG-SOT363-6
包/箱:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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