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MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK

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图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

PHD22NQ20T,118

制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
944994 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Feb 28 - Mar 04 2025
PDF格式
PHD22NQ20T,118 PDF
类型 描述
系列:TrenchMOS™
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:21.1A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:30.8 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1380 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:150W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:DPAK
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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