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SUP60N02-4M5P-E3

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MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB

SUP60N02-4M5P-E3

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零件编号 :

SUP60N02-4M5P-E3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
255425 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 26 - Nov 30 2024
PDF格式
SUP60N02-4M5P-E3 PDF
类型 描述
系列:TrenchFET®
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:60A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:5950 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:3.75W (Ta), 120W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-220AB
包/箱:TO-220-3
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