类型 | 描述 |
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系列: | HiPerFET™ |
包裹: | Tube |
零件状态: | Obsolete |
场效应管类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (vdss): | 600 V |
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c: | 60A (Tc) |
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 80mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (最大值) @ id: | 4V @ 8mA |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs: | 380 nC @ 10 V |
vgs (最大值): | ±20V |
输入电容 (ciss) (max) @ vds: | 10000 pF @ 25 V |
场效应管特征: | - |
功耗(最大值): | 700W (Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
供应商设备包: | ISOPLUS264™ |
包/箱: | ISOPLUS264™ |
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办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
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IRFCZ44VBIR (Infineon Technologies) |
MOSFET 60V 55A DIE |
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2SJ601(0)-Z-E1-AZRenesas Electronics America |
TRANSISTOR |
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IRC530PBFVishay / Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5 |