MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
IGBT MOD 600V 530A INT-A-PAK
类型 | 描述 |
---|---|
系列: | - |
包裹: | Bulk |
零件状态: | Obsolete |
igbt型: | - |
配置: | Half Bridge |
电压 - 集电极发射极击穿(最大值): | 600 V |
电流 - 集电极 (ic) (max): | 530 A |
功率 - 最大值: | 1136 W |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 1.45V @ 15V, 300A |
电流 - 集电极截止(最大值): | 750 µA |
输入电容 (cies) @ vce: | - |
输入: | Standard |
ntc热敏电阻: | No |
工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型: | Chassis Mount |
包/箱: | Dual INT-A-PAK (3 + 8) |
供应商设备包: | Dual INT-A-PAK |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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APTGT150SK120D1GMicrosemi |
IGBT MODULE 1200V 220A 700W D1 |
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VS-GB150TS60NPBFVishay General Semiconductor – Diodes Division |
IGBT MOD 600V 138A INT-A-PAK |
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VID50-06P1Wickmann / Littelfuse |
IGBT MOD 600V 42.5A ECO-PAC2 |
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IRG7U150HF12BIR (Infineon Technologies) |
IGBT MOD 1200V 300A POWIR 62 |
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CM200DU-12HPowerex, Inc. |
IGBT MOD 600V 200A 650W |
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SNXH100M95H3Q2F2PGSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC MODULE PIM 100V |
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APTGT100SK170D1GMicrosemi |
IGBT MODULE 1700V 200A 695W D1 |