FGB7N60UNDF

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零件编号 :: FGB7N60UNDF

制造商: Rochester Electronics

描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

目录: 晶体管 - igbts - 单

可用性: 10994 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 07 - Nov 11 2025

PDF格式: FGB7N60UNDF PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
igbt型:	NPT
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):	14 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):	21 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 7A
功率 - 最大值:	83 W
开关能量:	99µJ (on), 104µJ (off)
输入类型:	Standard
栅极电荷:	18 nC
td（开/关）@ 25°c:	5.9ns/32.3ns
测试条件:	400V, 7A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):	32.3 ns
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备包:	TO-263AB (D²PAK)

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