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IRG8P60N120KD-EPBF

IRG8P60N120 - DISCRETE IGBT WITH

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零件编号 :

IRG8P60N120KD-EPBF

制造商
Rochester Electronics
描述
IRG8P60N120 - DISCRETE IGBT WITH
目录
晶体管 - igbts - 单
可用性
19000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 15 - Nov 19 2024
PDF格式
IRG8P60N120KD-EPBF PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
igbt型:-
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:1.2 V
电流 - 集电极 (ic) (max):100 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 40A
功率 - 最大值:420 W
开关能量:2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:345 nC
td（开/关）@ 25°c:40ns/240ns
测试条件:600V, 40A, 5Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):210 ns
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-247-3
供应商设备包:TO-247AD
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