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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous, QDR II |
| 内存大小: | 72Mb (4M x 18) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 333 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 165-LBGA |
| 供应商设备包: | 165-FBGA (13x15) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CY7C09579V-83ACRochester Electronics |
IC SRAM 1.152MBIT PAR 144TQFP |
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AT25XE011-XMHN-BAdesto Technologies |
IC FLASH 1MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP |
|
MX29GL320EBXEI-70GMacronix |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48LFBGA |
|
70V658S12BFGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208FPBGA |
|
93AA56BT-I/MCRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8DFN |
|
N01L83W2AT25ITRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT 70NS 32TSOP |
|
IS45S16400J-6CTLA1-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II |
|
CY62138FV30LL-45SXITCypress Semiconductor |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32SOIC |
|
BR25S640FVM-WTRROHM Semiconductor |
IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8MSOP |
|
MX29GL512FLT2I-10QMacronix |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP |
|
AS7C34096A-15JINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
|
SST26VF032BT-104V/MFRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WDFN |
|
11LC160-I/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SGL WIRE 8MSOP |
