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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | NoBL™ |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous, SDR |
| 内存大小: | 36Mb (2M x 18) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 167 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 3.4 ns |
| 电压 - 电源: | 2.375V ~ 2.625V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 165-LBGA |
| 供应商设备包: | 165-FBGA (15x17) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
MR25H256MDFREverspin Technologies, Inc. |
IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFN |
|
AT25DL081-MHN-TAdesto Technologies |
IC FLASH 8MBIT SPI 100MHZ 8UDFN |
|
IS45S16160G-7TLA2ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
|
CY7C2570XV18-600BZXCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
AS4C512M16D3LB-12BCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA |
|
BR24T512F-3AME2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOP |
|
25AA256-I/MFRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT SPI 10MHZ 8DFN |
|
AS4C64M16D2B-25BCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA |
|
93AA56A-I/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8MSOP |
|
S29GL512S11FHB020Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64BGA |
|
S-24C08DI-J8T1U5ABLIC U.S.A. Inc. |
IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8SOP |
|
CY7C057V-12AXCRochester Electronics |
IC SRAM 1.152MBIT PAR 144TQFP |
|
25LC160D-E/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8SOIC |
