English
简体中文
图片仅供参考，请联系我们获取真实图片
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 1Mb (128K x 8) |
| 内存接口: | I²C |
| 时钟频率: | 1 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | 400 ns |
| 电压 - 电源: | 1.8V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-SOIC |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CY7C4041KV13-600FCXCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 361FCBGA |
|
CY7C1518KV18-250BZIRochester Electronics |
DDR SRAM, 4MX18, 0.45NS PBGA165 |
|
71V3558SA166BQGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
CY7C1009D-10VXITCypress Semiconductor |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
|
70T659S12BCRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
|
SST39SF040-70-4C-PHERoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32DIP |
|
MX25R1035FM2IL0Macronix |
IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP |
|
W631GU6MB-12Winbond Electronics Corporation |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96VFBGA |
|
IS42S83200G-7TLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
|
CY7C1011CV33-12ACRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 128KX16 |
|
71V67703S75PFGRochester Electronics |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
71V3556SA150BQRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
7164L20DBRenesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CERDIP |
