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CY7C1518KV18-250BZI

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零件编号 :: CY7C1518KV18-250BZI

制造商: Rochester Electronics

描述: DDR SRAM, 4MX18, 0.45NS PBGA165

可用性: 13500 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

PDF格式: CY7C1518KV18-250BZI PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
内存类型:	Volatile
内存格式:	SRAM
技术:	SRAM - Synchronous, DDR II
内存大小:	72Mb (4M x 18)
内存接口:	Parallel
时钟频率:	250 MHz
写周期时间 - 字，页:	-
访问时间:	-
电压 - 电源:	1.7V ~ 1.9V
工作温度:	-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	165-LBGA
供应商设备包:	165-FBGA (13x15)

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