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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Standard |
| 内存大小: | 16Kb (16K x 1) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 15ns |
| 访问时间: | 15 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 包/箱: | 20-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 供应商设备包: | 20-DIP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
MTFC8GLWDQ-3L AIT Z TRMicron Technology |
IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA |
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CY7C1570KV18-400BZXIRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
93AA66CT-I/MNYRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 4KBIT SPI 3MHZ 8TDFN |
|
MX66L1G45GXDL-10GMacronix |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24BGA |
|
MT58L256L18F1T-8.5TRRochester Electronics |
SRAM SYNC DUAL 4M-BIT 256KX18 |
|
CAT93C46RVP2IGT3-CSRochester Electronics |
IC EEPROM 1KBIT SPI 4MHZ 8TDFN |
|
IS61QDPB21M18A-333M3LISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA |
|
M95080-DFMN6TPSTMicroelectronics |
IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8SO |
|
MR256A08BCMA35REverspin Technologies, Inc. |
IC RAM 256KBIT PARALLEL 48FBGA |
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CY14E256LA-SZ25XICypress Semiconductor |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC |
|
CY7C0831AV-133BBIRochester Electronics |
DUAL-PORT SRAM, 128KX18, 4NS |
|
IS43DR16640C-25DBLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA |
|
MX25L25673GZNI-08GMacronix |
IC FLSH 256MBIT SPI 120MHZ 8WSON |
