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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | - |
| 内存格式: | - |
| 技术: | - |
| 内存大小: | - |
| 内存接口: | - |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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CY7C2563KV18-450BZCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
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7164S20YGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ |
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M5M5V5636GP-16I#B0Rochester Electronics |
SRAM, 512KX36, 3.8NS |
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IS49NLS18320A-33WBLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA |
|
CAT24C512XE-T2Rochester Electronics |
EEPROM, 64KX8, SERIAL, CMOS, PDS |
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24VL025T/OTRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT I2C SOT23-6 |
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CAT25020VI-GT3JNRochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
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HM6-6642B-9Rochester Electronics |
512 X 8 CMOS PROM |
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GS82582TT38GE-500IGSI Technology |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
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AT24CSW040-UUM0B-TRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 4WLCSP |
|
IS42S83200J-7TLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
|
UPD46184362BF1-E33-EQ1-ARochester Electronics |
DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS |
|
FM24CL64B-DGCypress Semiconductor |
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8TDFN |
