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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | DRAM |
| 内存大小: | 576Mb (32M x 18) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 300 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 20 ns |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 144-TBGA |
| 供应商设备包: | 144-TWBGA (11x18.5) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CAT24C512XE-T2Rochester Electronics |
EEPROM, 64KX8, SERIAL, CMOS, PDS |
|
24VL025T/OTRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT I2C SOT23-6 |
|
CAT25020VI-GT3JNRochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
|
HM6-6642B-9Rochester Electronics |
512 X 8 CMOS PROM |
|
GS82582TT38GE-500IGSI Technology |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
|
AT24CSW040-UUM0B-TRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 4WLCSP |
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IS42S83200J-7TLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
|
UPD46184362BF1-E33-EQ1-ARochester Electronics |
DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS |
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FM24CL64B-DGCypress Semiconductor |
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8TDFN |
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S25FS256SAGNFI001Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON |
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93LC66AX-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8SOIC |
|
CY7C09569V-100BBCRochester Electronics |
IC SRAM 576KBIT PARALLEL 172FBGA |
|
S25FL512SDPMFV010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
