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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 8Kb (1K x 8, 512 x 16) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 2 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-SO |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
STK17T88-RF45Rochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 48SSOP |
|
IS62WV5128BLL-55BLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA |
|
CY7C1515AV18-167BZCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
AS4C16M16SA-6TCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
|
CY62128EV30LL-45ZXITCypress Semiconductor |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I |
|
W949D6DBHX5E TRWinbond Electronics Corporation |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA |
|
CY621472GN30-45ZSXICypress Semiconductor |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
BR24G02FJ-3GTE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOPJ |
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24LCS52T-I/MNYRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8TDFN |
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CYDMX256A16-90BVXIRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA |
|
CY7C1049BV33-15VITRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 512KX8, 15NS |
|
AS4C16M16SA-7BCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA |
|
GS81302Q37AGD-450IGSI Technology |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA |
