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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Quad Port, Synchronous, QDR IIIe |
| 内存大小: | 144Mb (8M x 18) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 800 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 1.2V ~ 1.35V |
| 工作温度: | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 260-BGA |
| 供应商设备包: | 260-BGA (22x14) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
70V631S12BCI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
|
CY14B104NA-ZS45XECypress Semiconductor |
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II |
|
CY7C1011CV33-12BVIRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 128KX16 |
|
S25FL127SABNFI103Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
AS7C4098A-20JCNAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
|
CAT24C01YI-GRochester Electronics |
IC EEPROM 1KBIT I2C 8TSSOP |
|
CY7C1021V33L-15BACTRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 64KX16, 15NS |
|
CY62157DV20L-70BVXIRochester Electronics |
SRAM CHIP ASYNC SINGLE 1.8V 8M B |
|
24FC1025T-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
|
CY14B512I-SFXIRochester Electronics |
IC NVSRAM 512KBIT I2C 16SOIC |
|
24AA128T-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC |
|
CY7C1415BV18-250BZCRochester Electronics |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
GD25Q32CWIGRGigaDevice |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON |
