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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | MoBL® |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Asynchronous |
| 内存大小: | 4Mb (256K x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 45ns |
| 访问时间: | 45 ns |
| 电压 - 电源: | 2.2V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 48-VFBGA |
| 供应商设备包: | 48-VFBGA (6x8) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
GS82582DT38GE-500IGSI Technology |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
|
7016L12JGRenesas Electronics America |
IC SRAM 144K PARALLEL 68PLCC |
|
IS43DR16160B-3DBLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA |
|
HM3-6504S-9Rochester Electronics |
4096 X 1 CMOS RAM |
|
CAT25160HU2I-GT3Rochester Electronics |
IC EEPROM 16KBIT SPI 10MHZ 8UDFN |
|
W25Q128JVSIMWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
|
RM24C128AF-0-GCSI-TAdesto Technologies |
IC EEPROM 128KBIT I2C 4WLCSP |
|
93LC76AT-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |
|
STK11C88-SF25ITRFlip Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC |
|
CY62147G30-45ZSXIRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256KX16, 45NS, CM |
|
CY14V101LA-BA45XITCypress Semiconductor |
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
AS8C161831-QC166NAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
93AA66CT-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 4KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |
