English
简体中文
图片仅供参考，请联系我们获取真实图片
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 256Kb (32K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 35ns |
| 访问时间: | 35 ns |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) |
| 供应商设备包: | 48-SSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
24AA32AF-I/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8MSOP |
|
BR93L46FVT-WE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8TSSOP |
|
MT58L128L32F1F-10Rochester Electronics |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
S25FS256SAGMFV001Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
71256L85DBRenesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PAR 28CERDIP |
|
71V124SA12YRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
|
S29GL256P10FFI010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA |
|
MT46V16M8TG-6T L:D TRMicron Technology |
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP |
|
CY7C293A-50WCRochester Electronics |
UVPROM, 2KX8, 50NS, CMOS |
|
93AA56A-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8SOIC |
|
AT28C256E-15FM/883-815Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28FLATPK |
|
W25Q16JWZPIQ TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
AS4C32M16SB-6TINTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
