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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | SDRAM - DDR3 |
| 内存大小: | 512Mb (32M x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 800 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 20 ns |
| 电压 - 电源: | 1.425V ~ 1.575V |
| 工作温度: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 96-VFBGA |
| 供应商设备包: | 96-FBGA (8x13) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
GS82582T37GE-450IGSI Technology |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
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FEMC008GTTG7-T14-16Flexxon |
IC FLASH 64GBIT EMMC 153FBGA |
|
FM24CL16B-GRochester Electronics |
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
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71256L25YGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
|
GD25Q20CTIGGigaDevice |
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP |
|
CY7C1041CV33-20ZCRochester Electronics |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
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AT28C256F-20FM/883Rochester Electronics |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28FLATPK |
|
GS81302Q18GE-300IGSI Technology |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA |
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CY7C1041DV33-10BVJXIFlip Electronics |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA |
|
CY7C09289V-7AXCRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
FT24C32A-USR-BFremont Micro Devices |
IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP |
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CY7C1021CV33-12BAXIRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
71V424L12YGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
