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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bag |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Asynchronous |
| 内存大小: | 4Mb (256K x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 20ns |
| 访问时间: | 20 ns |
| 电压 - 电源: | 3V ~ 3.6V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 供应商设备包: | 44-TSOP II |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
AT28C256F-20FM/883Rochester Electronics |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28FLATPK |
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GS81302Q18GE-300IGSI Technology |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA |
|
CY7C1041DV33-10BVJXIFlip Electronics |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA |
|
CY7C09289V-7AXCRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
FT24C32A-USR-BFremont Micro Devices |
IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP |
|
CY7C1021CV33-12BAXIRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
71V424L12YGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
|
CY7C1623KV18-333BZXCRochester Electronics |
DDR SRAM, 8MX18, 0.45NS PBGA165 |
|
AS4C1M16S-6TINTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II |
|
CY7C1312CV18-250BZIRochester Electronics |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
93AA46AXT-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8SOIC |
|
CY7C1470V25-200BZITCypress Semiconductor |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
CP7293ATRochester Electronics |
CAPSENSE |
