类型 | 描述 |
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系列: | - |
包裹: | Tray |
零件状态: | Active |
内存类型: | Volatile |
内存格式: | SRAM |
技术: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
内存大小: | 2Mb (64K x 36) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | 133 MHz |
写周期时间 - 字,页: | - |
访问时间: | 4.2 ns |
电压 - 电源: | 3.15V ~ 3.45V |
工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 208-BFQFP |
供应商设备包: | 208-PQFP (28x28) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
MX25U6435FZNI-10GMacronix |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
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CY7C1371KV33-133AXCCypress Semiconductor |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
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71V416S10BEGRenesas Electronics America |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA |
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AS4C1M16S-7TCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II |
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THGAF8G8T23BAILToshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
IC FLASH 32GBIT UFS 153WFBGA |
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CY7C1399B-15ZXITRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
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CY7C263-40PCRochester Electronics |
OTP ROM, 8KX8, 40NS |
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IS43R32160D-5BLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA |
|
SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-STDSwissbit |
IC FLASH 256GBIT EMMC 153BGA |
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CY27C256A-45ZCRochester Electronics |
OTP ROM, 32KX8, 45NS PDSO28 |
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MX29GL256ELT2I-90QMacronix |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP |
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S25FL128SAGBHIA10Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA |
|
71V124SA20PHRochester Electronics |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II |