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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 64Kb (8K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 70ns |
| 访问时间: | 70 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 包/箱: | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| 供应商设备包: | 28-EDIP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
71V424L12YGIRochester Electronics |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
|
CY62167DV20LL-55BVIRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 1MX16 |
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IS25WP064A-JBLEISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
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GD25LQ10CEIGRGigaDevice |
IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD 8USON |
|
CAT25256VI-GT3Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC |
|
CY7S1061G18-15ZSXICypress Semiconductor |
IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II |
|
70T3519S166BCIRenesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
|
24LC32AT-E/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8MSOP |
|
DS1220AB-100+Maxim Integrated |
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP |
|
AT24C1024BW-SH-BRochester Electronics |
IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
|
GS8256436GD-200IVGSI Technology |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
|
70V658S12BCIRenesas Electronics America |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA |
|
MX25L1633EM2I-10GMacronix |
IC FLASH 16MBIT SPI 104MHZ 8SOP |
