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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Standard |
| 内存大小: | 16Kb (16K x 1) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 35ns |
| 访问时间: | 35 ns |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 20-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
| 供应商设备包: | 20-SOJ |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
AT28C010E-15DM/883Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32CDIP |
|
W979H6KBVX2E TRWinbond Electronics Corporation |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
|
R1RW0416DSB-0PR#D0Rochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256KX16 |
|
S70FL01GSAGMFB013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
NM25C040LM8Rochester Electronics |
EEPROM, 512X8, SERIAL, CMOS |
|
71T75902S75PFGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
M95040-DRMF3TG/KSTMicroelectronics |
IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8MLP |
|
SST25VF040B-50-4I-QAFRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8WSON |
|
UPD44325362BF5-E40Y-FQ1-ARochester Electronics |
QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS |
|
FM24V10-GTRCypress Semiconductor |
IC FRAM 1MBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC |
|
24LC08BT-E/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8MSOP |
|
MT58L64L36DT-7Rochester Electronics |
CACHE SRAM, 64KX36, 7.5NS |
|
24LC16B-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIP |
